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Detección del flip-flop de los centros paramagnéticos del GaAsN mediante bombeo óptico en régimen pulsado

Descrizione:	Usando el enfoque de la ecuación maestra, en este trabajo desarrollamos un modelo que describe la dinámica del espín nuclear y electrónico en régimen pulsado en trampas paramagnéticas de Ga2+ presentes en semiconductores de GaAsN. Este modelo describe las principales interacciones entre los electrones de la banda de conducción, los...
Soggetto:	Semiconductores, Espín nuclear, Semiconductors, and Nuclear spin
Creatore:	Sandoval Santana, Juan Carlos
Collaboratore:	Pereyra Padilla, Pedro, Mora y Palomar Askinasy, Pablo de la, García Naumis, Gerardo, Santoyo Salazar, Jaime, and Kunold Bello, Alejandro
Editore:	Universidad Autónoma Metropolitana
Posgrado:	Doctorado en Ciencias Fisica
Lingua:	spa
Año de publicación:	2018
Diritti:	Acceso Abierto
Licenza:	Atribucion-NoComercial 4.0 Internacional (CC BY-NC 4.0)
Tipo de Recurso:	info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
Identifier:	https://doi.org/10.24275/uami.7m01bk77g