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1. Detección del flip-flop de los centros paramagnéticos del GaAsN mediante bombeo óptico en régimen pulsado

Descrizione:: Usando el enfoque de la ecuación maestra, en este trabajo desarrollamos un modelo que describe la dinámica del espín nuclear y electrónico en régimen pulsado en trampas paramagnéticas de Ga2+ presentes en semiconductores de GaAsN. Este modelo describe las principales interacciones entre los electrones de la banda de conducción, los...
Soggetto:: Semiconductores, Espín nuclear, Semiconductors, and Nuclear spin
Creatore:: Sandoval Santana, Juan Carlos
Collaboratore:: Pereyra Padilla, Pedro, Mora y Palomar Askinasy, Pablo de la, García Naumis, Gerardo, Santoyo Salazar, Jaime, and Kunold Bello, Alejandro
Editore:: Universidad Autónoma Metropolitana
Posgrado:: Doctorado en Ciencias Fisica
Lingua:: spa
Año de publicación:: 2018
Diritti:: Acceso Abierto
Licenza:: Atribucion-NoComercial 4.0 Internacional (CC BY-NC 4.0)
Tipo de Recurso:: info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
Identifier:: https://doi.org/10.24275/uami.7m01bk77g