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Transporte multicanal en heteroestructuras que están en presencia de campos eléctricos
Soggetto: Smart structures, Tunneling (Physics), Physics, Efecto túnel (Física), Heteroestructuras, Campos eléctricos, Electric fields, and Física Creatore: Mendoza Figueroa, María Guadalupe Collaboratore: Baquero Parra, Rafael, Linares Romero, Román, Jiménez Mendoza, José Luis, and Pereyra Padilla, Pedro Editore: Universidad Autónoma Metropolitana Posgrado: Maestria en Ciencias Fisica Lingua: spa Año de publicación: 2013 Diritti: Acceso Abierto Licenza: Atribucion-NoComercial 4.0 Internacional (CC BY-NC 4.0) Tipo de Recurso: info:eu-repo/semantics/masterThesis Identifier: https://doi.org/10.24275/uami.ns0646221 -
Dinámica de la polarización del espín electrónico y nuclear en trampas paramagnéticas de Ga en GaAsN
Descrizione: Recientemente las propiedades de espín en muestras de GaAs dopadas con pequeñas cantidades de Nitrógeno han recibido un gran interés debido a la alta polarización del espín alcanzada por los electrones de la banda de conducción bajo excitación óptica de luz circularmente polarizada a temperatura ambiente. La incorporación de átomos... Soggetto: Polarización (Física nuclear), Espín nuclear, Polarization (Nuclear physics), and Nuclear spin Creatore: Ibarra Sierra, Víctor Guadalupe Collaboratore: Cardoso Cortés, José Luis, Cruz Jiménez, Salvador Antonio, Kunold Bello, Alejandro, García Naumis, Gerardo, and Pereyra Padilla, Pedro Editore: Universidad Autónoma Metropolitana Posgrado: Doctorado en Ciencias Fisica Lingua: spa Año de publicación: 2018 Diritti: Acceso Abierto Licenza: Atribucion-NoComercial 4.0 Internacional (CC BY-NC 4.0) Tipo de Recurso: info:eu-repo/semantics/doctoralThesis Identifier: https://doi.org/10.24275/uami.b2773v74n -
Detección del flip-flop de los centros paramagnéticos del GaAsN mediante bombeo óptico en régimen pulsado
Descrizione: Usando el enfoque de la ecuación maestra, en este trabajo desarrollamos un modelo que describe la dinámica del espín nuclear y electrónico en régimen pulsado en trampas paramagnéticas de Ga2+ presentes en semiconductores de GaAsN. Este modelo describe las principales interacciones entre los electrones de la banda de conducción, los... Soggetto: Semiconductores, Espín nuclear, Semiconductors, and Nuclear spin Creatore: Sandoval Santana, Juan Carlos Collaboratore: Pereyra Padilla, Pedro, Mora y Palomar Askinasy, Pablo de la, García Naumis, Gerardo, Santoyo Salazar, Jaime, and Kunold Bello, Alejandro Editore: Universidad Autónoma Metropolitana Posgrado: Doctorado en Ciencias Fisica Lingua: spa Año de publicación: 2018 Diritti: Acceso Abierto Licenza: Atribucion-NoComercial 4.0 Internacional (CC BY-NC 4.0) Tipo de Recurso: info:eu-repo/semantics/doctoralThesis Identifier: https://doi.org/10.24275/uami.7m01bk77g