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1. Cambios superficiales en el Silicio inducidos por irradiación láser con un solo pulso, modelo y simulación

Fach:: Silicio -- Propiedades ópticas, Semiconductors, Silicon -- Properties, and Semiconductores
Schöpfer:: Acosta Zepeda, Carlos Enrique
Mitwirkender:: Sánchez Ake, Citlali, Rio Haza, Fernando Mario del, Escobar Alarcón, Luis, Díaz Herrera, Jesús Enrique, Martínez Mares, Moisés, and Haro Poniatowski, Emmanuel
Herausgeber:: Universidad Autónoma Metropolitana
Posgrado:: Doctorado en Ciencias Fisica
Sprache:: spa
Año de publicación:: 2019
Rechte:: Acceso Abierto
Lizenz:: Atribucion-NoComercial 4.0 Internacional (CC BY-NC 4.0)
Tipo de Recurso:: info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
Identifikator:: https://doi.org/10.24275/uami.g732d901r